Добро пожаловать в Chipmall.com
продукт
Просмотреть все продукты
Главная  > Semiconductors  > Discrete Semiconductors  > Transistors  > IGBT Transistors
Любимый
Поделиться
Facebook
Twitter
Ins
VKontakte

                                IXXH60N65B4H1
                                                                    Главная
                                                                    Semiconductors
                                                                    Discrete Semiconductors
                                                                    Transistors
                                                                    IGBT Transistors

IXYS IXXH60N65B4H1

Производитель:

IXYS

Mfr.Part #:

IXXH60N65B4H1

Пакет:

TO-247AD-3

RoHS:
Техническая спецификация:

IXXH60N65B4H1

Описание:

IGBT Transistors 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT

ECAD Model:

Технические характеристики продукта

0 найденные продукты. Показать похожие
Атрибут продукта Значение атрибута Искать похожие
Manufacturer IXYS
Product Category IGBT Transistors
RoHS
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Through Hole
Pd - Power Dissipation 380 W
Product Type IGBT Transistors
Package / Case TO-247AD-3
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C
Series IXXH60N65
Packaging Tube
Brand IXYS
Configuration Single
Continuous Collector Current At 25 C 116 A
Continuous Collector Current Ic Max 60 A
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Technology Si
Factory Pack Quantity 30
Subcategory IGBTs
Unit Weight 0.158733 oz
Tradename XPT
Комментарии ( 0 )
Комментариев нет ~
Maximum DC Collector Current,,Gate Threshold Voltage,Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage,Manufacturer,Collector-Emitter Breakdown Voltage,Product Category,Operating Temperature Range,Pd - Power Dissipation,Product Type,Package / Case,Collector- Emitter Voltage VCEO Max,Collector-Emitter Saturation Voltage,Minimum Operating Temperature,Moisture Sensitive,Series,Part # Aliases,Continuous Collector Current,Continuous Collector Current at 25 C,Continuous Collector Current Ic Max,Gate-Emitter Leakage Current,Technology,Subcategory,Unit Weight,Tradename,
,,,,IXYS,,IGBT Transistors,,380 W,IGBT Transistors,TO-247AD-3,650 V,1.7 V,- 55 C,,IXXH60N65,,,116 A,60 A,100 nA,Si,IGBTs,0.158733 oz,XPT,
779673
1156
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/IGBT-Transistors_1156?proid=779673&N=
$
1 8.86140
10 8.03904
30 7.53924
100 7.14540
Ваш запрос успешно отправлен! Возвращаться Спасибо за отправку запроса предложений онлайн! Мы свяжемся с вами как можно скорее и сообщим стоимость запрошенных вами запчастей.
Убедитесь, что ваш адрес электронной почты правильный. Если вы не получите предложение через 12 часов, свяжитесь с нами по электронной почте: rfq@chipmall.com .
USD
связаться с нами
Ошибка электронной почты
©2022 Chipmall Electronics Limited. All Rights Reserved.    Sitemap
Мы используем файлы cookie, чтобы вам было удобнее. Подробная информация об использовании файлов cookie на этом веб-сайте представлена в нашей Политике конфиденциальности. Используя этот сайт, вы соглашаетесь на использование наших файлов cookie.
Принять